可控硅开关的损耗分析

可控硅开关由电子元器件构成,只要接入系统带电后不可避免地要带来有功损耗，这也是与传统机械开关相比的一个缺点。因此可控硅开关主电路的设计上除充分考虑可靠性因素，同时也应考虑如何减低损耗，提高运行的经济性。

（1）可控硅开关的稳态关断下的损耗:主要是由流过静态均压电阻、动态均压电阻的电流带来的，近似计算公式如下:

其中:V为开关阀的额定电压，单位为V;

Rd为动态均压电阻值，单位为欧;

Rp为静态均压电阻值，单位为欧;

Cd为动态均压容值，单位为F;

V为元件额定耐压值，单位为V;

1000为元件额定耐压值下的漏电流，单位为A;

n为可控硅串联数;

△P1的单位为千瓦。

(2)可控硅开关的稳态导通下的损耗:主要是由可控硅元件导通电阻带来的，近似计算公式如下:

其中:Von为可控硅导通压降电压，单位为V;

n为可控硅串联数;

Ⅰn为额定工作电流，单位为A;

△P2的单位为千瓦。

可控硅开关的导通和关断的动态损耗主要是由动态均压电容的充放电在动态均压电阻上形成的功耗，计算比较复杂，通常只有在可控硅开关频繁动作的情况下予以考虑。