单向可控硅的主要参数

为了正确地使用单向可控硅，不仅要了解它的工作原理，还需要掌握它的主要参数。

(1）正向重复峰值电压Ufrm

在控制极断开和单向可控硅处于正向阻断的条件下,单向可控硅的结温为额定值时，允许美妙50次，每次持续时间不大于10ms可重复加在单向可控硅上的正向峰值电压，称为正向重复峰值电压，用Ufrm表示，一般规定次电压值为正向转折电压的80%。

(2)反向重复峰值电压Urrm

在与正向重复峰值电压相同的条件下,可以重复加在单向可控硅上的反向峰值电压称为反向重复峰值电压，用Urrm表示，一般为反向转折电压的80%。

(3）额定电压U,

通常把Ufrm与Urrm中较小的一个电压值作为单向可控硅的额定电压。这是考虑到实际中加在管子上的电影一般是正、负对称电压,故以数值小的电压为准。但由于瞬时过电压也会损坏管子，故选择管子时，为了安全起见，要求管子的额定电压大于实际工作峰值电压的2～3倍。

(4）额定正向平均电流Ⅰ,

在环境温度为40℃和规定的散热条件下，允许通过单向可控硅中的工频正弦半波电流的平均值，称为额定正向平均电流I,。通常所说的多少安的单向可控硅就是指这个电流值。I,大小与周围环境温度，散热条件，元件导通角的大小等因素有关。单向可控硅的额定电流用一定条件下的工频正弦半波平均电流来标定，这是由于整流输出端所接负载常需要用平均电流衡量其性能。但是从单向可控硅发热的角度来看，无论流过单向可控硅中的电流波形如何，单向可控硅的导通角是多大只要设计的电流有效值等于额定电流I,的有效值，那么单向可控硅的发热便是等效的和允许的。

(5）维持电流Ⅰ h

在室温和控制极短路的条件下,能够维持单向可控硅继续导通所需的最小阳极电流称为维持电流Ⅰ h。如果单向可控硅的阳极电流小于此值时，单向可控硅将由导通状态转为阻断状态。

(6)控制极触发电压Ugk和触发电流Ⅰg

在室温，单向可控硅阳极与阴极间电压为6V的条件下，使单向可控硅从阻断状态转为导通状态所需的最小控制极直流电流值称为触发电流Ⅰg，对应于触发电流I。时的控制极与阴极之间的直流电压Ugk称为触发电压。一般Ugk约为1～5V，Ig为几十到几百mA。